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GA200SA60S中文资料

GA200SA60S图片

GA200SA60S外观图

  • 大小:201.54KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
  • 标准包装:10
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:IGBT
  • 系列:-
  • IGBT 类型:-
  • 配置:单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):1.3V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A
  • 电流 - 集电极截止(最大):1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies):16.25nF @ 30V
  • 功率 - 最大:630W
  • 输入:标准型
  • NTC 热敏电阻:无
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装:SOT-227B
  • 其它名称:*GA200SA60SVS-GA200SA60SVS-GA200SA60S-NDVSGA200SA60SVSGA200SA60S-ND

GA200SA60S供应商

更新时间:2023-01-06 16:20:55
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